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PBSS4160DPN Datasheet

  • PBSS4160DPN

  • 60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

  • 14頁

  • PHILIPS

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PBSS4160DPN
60 V, 1 A NPN/PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
Rev. 01 鈥?3 June 2004
Objective data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
NPN/PNP low V
CEsat
(BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) plastic package.
1.2 Features
s
s
s
s
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability I
C
and I
CM
High ef鏗乧iency, reduces heat generation
Reduces printed-circuit board area required.
1.3 Applications
s
Power management
x
DC-to-DC conversion
x
Supply line switching
s
Peripheral driver
x
Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors)
x
Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs).
1.4 Quick reference data
Table 1:
Symbol
V
CEO
I
C
I
CRP
R
CEsat
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current (DC)
repetitive peak collector
current
equivalent on-resistance
Conditions
Min
-
-
-
-
Typ
-
-
-
-
Max
NPN
60
1
2
250
PNP
鈭?0
鈭?
鈭?.5
330
V
A
A
m鈩?/div>
Unit

PBSS4160DPN 產(chǎn)品屬性

  • 表面貼裝

  • 1.7mm

  • TSOP

  • 1 x 3.1 x 1.7mm

  • 6

  • NPN，PNP

  • -65 °C

  • 700 mW

  • 5 V

  • 1.1 V

  • 0.9 (PNP) A, 1 (NPN) A

  • 60 V

  • 0.33 V

  • 80 V

  • 100 V

  • +150 °C

  • 185 (PNP) MHz, 220 (NPN) MHz

  • 2

  • 雙極小信號

  • 雙

  • 3.1mm

  • 1mm

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