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PBSS3540E Datasheet

  • PBSS3540E

  • 40 V, 500 mA PNP low VCEsat (BISS) transistor

  • 110.12KB

  • 11頁

  • PHILIPS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PBSS3540E
40 V, 500 mA PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
Rev. 01 鈥?3 May 2005
Product data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
PNP low V
CEsat
Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT416 (SC-75) SMD
plastic package.
NPN complement: PBSS2540E.
1.2 Features
s
s
s
s
s
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability: I
C
and I
CM
High collector current gain (h
FE
) at high I
C
High ef鏗乧iency due to less heat generation
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
1.3 Applications
s
s
s
s
s
DC-to-DC conversion
MOSFET gate driving
Motor control
Charging circuits
Low power switches (e.g. motors, fans)
1.4 Quick reference data
Table 1:
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
[1]
Quick reference data
Conditions
open base
Min
-
-
-
I
C
=
鈭?00
mA;
I
B
=
鈭?0
mA
[1]
Symbol Parameter
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
collector-emitter
saturation resistance
Typ
-
-
-
440
Max
鈭?0
鈭?00
鈭?
700
Unit
V
mA
A
m鈩?/div>
-
Pulse test: t
p
鈮?/div>
300
碌s; 未 鈮?/div>
0.02.

PBSS3540E 產(chǎn)品屬性

  • 表面貼裝

  • 0.9mm

  • SMPAK

  • 0.85 x 1.8 x 0.9mm

  • 3

  • PNP

  • -65 °C

  • 250 mW

  • 6 V

  • 1.2 V

  • 0.5 A

  • 40 V

  • 0.35 V

  • 40 V

  • 40 V

  • +150 °C

  • 300 MHz

  • 1

  • 雙極小信號(hào)

  • 單

  • 1.8mm

  • 0.85mm

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