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PBSS306PZ Datasheet

  • PBSS306PZ

  • 100 V, 4.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

  • 123.18KB

  • 14頁

  • PHILIPS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PBSS306PZ
100 V, 4.1 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
Rev. 01 鈥?20 September 2006
Product data sheet
1. Product pro鏗乴e
1.1 General description
PNP low V
CEsat
Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73)
small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS306NZ.
1.2 Features
I
I
I
I
I
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability I
C
and I
CM
High collector current gain (h
FE
) at high I
C
High ef鏗乧iency due to less heat generation
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
1.3 Applications
I
I
I
I
I
High-voltage DC-to-DC conversion
High-voltage MOSFET gate driving
High-voltage motor control
High-voltage power switches (e.g. motors, fans)
Automotive applications
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
[1]
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
peak collector current
collector-emitter saturation
resistance
single pulse;
t
p
鈮?/div>
1 ms
I
C
=
鈭?
A;
I
B
=
鈭?00
mA
[1]
Conditions
open base
Min
-
-
-
-
Typ
-
-
-
56
Max
鈭?00
鈭?.1
鈭?.2
80
Unit
V
A
A
m鈩?/div>
Pulse test: t
p
鈮?/div>
300
碌s; 未 鈮?/div>
0.02.

PBSS306PZ 產(chǎn)品屬性

  • 表面貼裝

  • 3.7mm

  • SC-73

  • 1.7 x 6.7 x 3.7mm

  • 4

  • PNP

  • -65 °C

  • 2000 mW

  • 5 V

  • 1.05 V

  • 4.1 A

  • 100 V

  • 0.325 V

  • 100 V

  • 25 V

  • +150 °C

  • 100 MHz

  • 1

  • 雙極小信號

  • 單雙集電極

  • 6.7mm

  • 1.7mm

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