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PB47N10L Datasheet

  • PB47N10L

  • SIPMOS㈢ Power-Transistor

  • INFINEON   INFINEON

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Preliminary data
SPI47N10L
SPP47N10L,SPB47N10L
SIPMOS
餂?/div>
Power-Transistor
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
175擄C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
100
26
47
P-TO220-3-1
V
A
Type
SPP47N10L
SPB47N10L
SPI47N10L
Package
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
Ordering Code
Q67040-S4177
Q67040-S4176
Q67060-S7432
Marking
47N10L
47N10L
47N10L
Maximum Ratings,at
T
j
= 25 擄C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
=25擄C
T
C
=100擄C
Symbol
I
D
Value
47
33
Unit
A
Pulsed drain current
T
C
=25擄C
I
D puls
E
AS
E
AR
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
188
400
17.5
6
鹵20
175
-55... +175
55/175/56
kV/碌s
V
W
擄C
mJ
Avalanche energy, single pulse
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
I
S
=47A,
V
DS
=0V,
di/dt=200A/碌s
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25擄C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Page 1

I
D
=47 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
2002-01-09







m

PB47N10L PDF文件相關(guān)型號(hào)

Q67040-S4176,Q67040-S4177,Q67060-S7432,SPI47N10L_02

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