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P6803NAG Datasheet

  • P6803NAG

  • N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

  • 8頁(yè)

  • ETC

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NIKO-SEM
N- & P-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
P6803NAG
TSOP-6
Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
N-Channel
P-Channel
30
-30
R
DS(ON)
68m惟
145m惟
I
D
3.5A
-2A
G1
D1
G2
D2
D1 S1
6
1
5
2
D2
4
3
G2
S1
S2
G1 S2
G : GATE
D : DRAIN
S : SOURCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25
擄C
Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Power Dissipation
Junction & Storage Temperature Range
Lead Temperature (
1
/
16
鈥?from case for 10 sec.)
T
C
= 25 擄C
T
C
= 70 擄C
T
C
= 25 擄C
T
C
= 70 擄C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
stg
T
L
N-Channel P-Channel
30
鹵20
3.5
2.8
10
1.15
0.73
-55 to 150
275
擄C
-30
鹵20
-2.3
-1.8
-10
W
A
UNITS
V
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
Junction-to-Lead
1
2
SYMBOL
R
胃JA
R
胃JA
R
胃JL
TYPICAL
MAXIMUM
110
150
80
UNITS
擄C / W
擄C / W
擄C / W
t鈮?sec
Steady State
Steady State
Pulse width limited by maximum junction temperature.
Duty cycle
鈮?/div>
1%
1
MAR-09-2006

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