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P3503QVG Datasheet

  • P3503QVG

  • N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

  • 8頁

  • ETC

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NIKO-SEM
N- & P-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
P3503QVG
SOP-8
Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
N-Channel
P-Channel
30
-30
R
DS(ON)
25m惟
35m惟
I
D
7A
-6A
G : GATE
D : DRAIN
S : SOURCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25
擄C
Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Power Dissipation
Junction & Storage Temperature Range
T
C
= 25 擄C
T
C
= 70 擄C
T
C
= 25 擄C
T
C
= 70 擄C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
stg
N-Channel P-Channel
30
鹵20
7
6
20
2
1.3
-55 to 150
擄C
-30
鹵20
-6
-5
-20
W
A
UNITS
V
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Ambient
1
2
SYMBOL
R
胃JA
TYPICAL
48
MAXIMUM
62.5
UNITS
擄C / W
Pulse width limited by maximum junction temperature.
Duty cycle
鈮?/div>
1%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25
擄C,
Unless Otherwise Noted)
LIMITS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0V, I
D
= 250碌A
V
GS
= 0V, I
D
= -250碌A
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250碌A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250碌A
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= 鹵20V
V
DS
= 0V, V
GS
= 鹵20V
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
30
-30
1
-1
1.5
-1.5
2.5
-2.5
鹵100
鹵100
nA
V
MIN
TYP MAX
UNIT
1
OCT-08-2004

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