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P2N2369 Datasheet

  • P2N2369

  • NPN SILICON HIGH SPEED SWITHCHING TRANSISTORS

  • 4頁

  • ETC

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Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L-000019.3
NPN SILICON HIGH SPEED SWITHCHING TRANSISTORS
P2N2369
TO-92
Plastic Package
C
BE
LOW POWER FOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25潞C unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage ( V
BE
=0)
Emitter Base Voltage
Collector Current Peak
Power Dissipation @ Ta=25潞C
Operating And Storage Junction
Temperature Range
THERMAL RESISTANCE
Junction to Ambient in free air
R
th(j-a)
200
潞C/W
SYMBOL
V
CEO
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
CM
P
D
T
j
, T
stg
VALUE
15
40
40
4.5
500
625
-55 to +150
UNIT
V
V
V
V
mA
mW
潞C
Continental Device India Limited
Data Sheet
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