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P0903BI Datasheet

  • P0903BI

  • N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

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NIKO-SEM
N-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor
D
P0903BI
TO-251
Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
25
R
DS(ON)
9.5m惟
I
D
50A
3
G
S
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25 擄C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy
2
Power Dissipation
L = 0.1mH
L = 0.05mH
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
Operating Junction & Storage Temperature Range
Lead Temperature (
1
/
16
鈥?from case for 10 sec.)
T
j
, T
stg
T
L
1
SYMBOL
V
GS
1 2
LIMITS
鹵20
50
35
UNITS
V
T
C
= 25 擄C
T
C
= 100 擄C
I
D
I
DM
I
AR
E
AS
E
AR
P
D
A
200
40
250
8.6
50
30
-55 to 150
275
擄C
W
mJ
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Case-to-Heatsink
1
2
SYMBOL
R
胃JC
R
胃JA
R
胃CS
TYPICAL
MAXIMUM
2.5
62.5
UNITS
擄C / W
0.6
Pulse width limited by maximum junction temperature.
Duty cycle
鈮?/div>
1錛?/div>
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25 擄C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
V
(BR)DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0V, I
D
= 250碌A(chǔ)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250碌A(chǔ)
V
DS
= 0V, V
GS
= 鹵20V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V, T
C
= 125 擄C
25
1
1.6
3
鹵250
25
250
nA
碌A(chǔ)
V
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
1
Mar-07-2005

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    TECCOR
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    solid state crowbar devices
    TECCOR [Te...
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    SIDACtor Device
    TECCOR [Te...
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    DO-214AA Package Symbolization
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    THYRISTOR SURGE SUPPRESSORS TSS P0080SA - P5000SA Symbol I ...
    SUNMATE/森美特

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