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P07D03LV Datasheet

  • P07D03LV

  • Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

  • 5頁

  • ETC

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NIKO-SEM
Dual N-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
P07D03LV
SOP-8
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
30
R
DS(ON)
20m惟
I
D
7A
G : GATE
D : DRAIN
S : SOURCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25
擄C
Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Junction & Storage Temperature Range
Lead Temperature ( /
16
鈥?from case for 10 sec.)
1
1
SYMBOL
V
DS
V
GS
LIMITS
鹵30
鹵20
7
6
40
2
1.3
-55 to 150
275
UNITS
V
V
T
C
= 25 擄C
T
C
= 70 擄C
T
C
= 25 擄C
T
C
= 70 擄C
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
stg
T
L
A
W
擄C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Ambient
1
2
SYMBOL
R
胃JA
TYPICAL
MAXIMUM
62.5
UNITS
擄C / W
Pulse width limited by maximum junction temperature.
Duty cycle
鈮?/div>
1%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25
擄C,
Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current
1
V
(BR)DSS
V
GS(th)
I
GSS
I
DSS
I
D(ON)
V
GS
= 0V, I
D
= 250碌A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250碌A
V
DS
= 0V, V
GS
= 鹵20V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V, T
J
= 55 擄C
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
25
30
0.7
1
1.4
V
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
鹵100 nA
1
10
碌A
A
1
OCT-14-2002

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    廠商
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  • 英文版
    Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    ETC
  • 英文版
    Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    ETC [ETC]

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