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ODA-6W-500M Datasheet

  • ODA-6W-500M

  • NIR/RED ENHANCED 6 mm2 PHOTODIODE-PREAMPLIFIER

  • 2頁

  • OPTODIODE

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NIR/RED ENHANCED 6 mm
2
PHOTODIODE-PREAMPLIFIER
.085
+V
V
out
CASE
.370
358
( .325)
.016
019
.028
(.012 MAX)
.163
RoHS
ODA-6W-500M
.050 MIN
FEATURES
鈥?Large active area
鈥?Low noise
鈥?High sensitivity
.078
.031
.035
GND
( .200 PIN CTRS)
鈥揤
鈥?Custom gains available
鈥?Hermetically sealed TO-39
SHOWN WITH CAP REMOVED FOR CLARITY
R1
C1
3
IN
D1
+V
0.1 ufd
鈥?/div>
U1
4
2
IN +
1
V OUT
鈥揤
0.1 ufd
ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS AT 23擄C
PARAMETERS
Dark Offset
TEST CONDITIONS
V
s
= 鹵 5 V
V
s
= 鹵 5
MIN
TYP
283
1
MAX
500
鹵2
UNITS
碌V rms
V/碌W
Hz
pW/鈭欻z
mV
Dark Offset Noise
Sensitivity
Frequency Response (-3 db)
NEP
BW = 0.1 to 135 Hz
位 = 940 nm
位 = 940 nm
位 = 940 nm
V
s
= 鹵 5 V
V
s
= 鹵 5 V
290
100
315
130
0.06
500
850
950
Transimpedence Gain
Supply Current
M惟
碌A(chǔ)
THERMAL PARAMETERS
Voltage Supplies
Power Dissipation
鹵 5 to 鹵 15V
鈥?5擄 to +100擄 C
+260擄 C
30 mW
Storage and Operating Temperature
Soldering Temperature (1/16" from case for 3 secconds max)
750 Mitchell Road, Newbury Park, California 91320
Phone: (805) 499-0335, Fax: (805) 499-8108
Email: sales@optodiode.com, Website: www.optodiode.com

ODA-6W-500M 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 傳感器，轉(zhuǎn)換器

  • 光學 - 光電檢測器 - 光電二極管

  • -

  • 940nm

  • 紅外（NIR）/紅

  • 400nm ~ 1100nm

  • -

  • -

  • -

  • -

  • -

  • 6mm²

  • -

  • -25°C ~ 100°C

  • TO-205AD，TO-39-3 金屬罐

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    NIR/RED ENHANCED 6 mm2 PHOTODIODE-PREAMPLIFIER
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