The NTE5461 through NTE5468 series silicon controlled rectifiers are designed primarily for half鈥?/div>
wave AC control applications such as motor controls, heating controls, and power supplies; or wher-
ever half鈥搘ave silicon gate鈥揷ontrolled, solid鈥搒tate devices are needed. These devices are supplied
in a TO220 type package.
Features;
D
Glass Passivated Junctions and Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability
D
Small, Rugged, Thermowatt Construction for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation,
and Durability
D
Blocking Voltage to 800 Volts
Absolute Maximum Ratings:
Peak Repetitive Reverse Voltage; Peak Repetitive Off鈥揝tate Voltage (Note 1), V
RRM
, V
DRM
NTE5461 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
NTE5462 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
NTE5463 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5465 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5466 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5468 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Non鈥揜epetitive Peak Reverse Voltage; Non鈥揜epetitive Off鈥揝tate Voltage, V
RSM
, V
DSM
NTE5461 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V
NTE5462 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125V
NTE5463 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V
NTE5465 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V
NTE5466 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
NTE5468 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V
RMS Forward Current (All Conducting Angles, T
C
= +75擄C), I
T(RMS)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Peak Forward Surge Current (1 Cycle, Sine Wave, 60Hz, T
C
= +80擄C), I
TSM
. . . . . . . . . . . . . . 100A
Circuit Fusing Considerations (T
J
= 鈥?5擄 to +100擄C, t = 1 to 8.3ms), I
2
t . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A
2
s
Forward Peak gate Power (t
鈮?/div>
10碌s), P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W
Forward Average Gate Power, P
G(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?0擄 to +100擄C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?0擄 to +150擄C
Thermal Resistance, Junction鈥搕o鈥揅ase, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2擄C/W
Note 1. V
DRM
and V
RRM
for all types can be applied on a continuous DC basis without incurring dam-
age. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices shall not have a positive bias
applied to the gate concurrently with a negative potential on the anode.
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