The NTE342 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF
band mobile radio applications.
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10dB (V
CC
= 13.5V, P
O
= 6W, f = 175MHz)
D
Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at:
V
CC
= 15.2V, P
O
= 6W, f = 175MHz
Application:
D
4 to 5 Watt Output Power Amplifiers Applications in VHF band
Absolute Maximum Ratings:
(T
C
= +25擄C unless otherwise specified)
Collector鈥揃ase Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Collector鈥揈mitter Voltage (R
BE
=
鈭?,
V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17V
Emitter鈥揃ase Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current, I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Collector Dissipation, P
C
T
A
= +25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W
T
C
= +25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5W
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150擄C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +150擄C
Thermal Resistance, Junction鈥搕o鈥揂mbient, R
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83擄C/W
Thermal Resistance, Junction鈥搕o鈥揅ase, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10擄C/W
1
2
