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NTE310 Datasheet

  • NTE310

  • Integrated Thyristor/Rectifier (ITR) TV Horizontal Deflectio...

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  • NTE

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NTE310
Integrated Thyristor/Rectifier (ITR)
TV Horizontal Deflection & Trace Switch
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Forward Off鈥揝tate and Reverse Voltage, V
DRM
, V
RRM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
RMS On鈥揝tate Current, I
TRMSM
, I
FRMSM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A
Mean On鈥揝tate Current (T
C
= +80擄C), I
TAVM
, I
FAVM
Thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4A
Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.45A
Repetitive Peak On鈥揝tate Current, I
TRM
, I
FRM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Surge Current (t = 10ms, t
vi
= +100擄C), I
TSM
, I
FSM
Thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A
Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A
Non鈥揜epetitive Rate of Rise of On鈥揝tate Current, di/dt
crit
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/碌s
Repetitive Rate of Rise of On鈥揝tate Current (I
TM
= 20A, t
vi
= +100擄C, V
DM
= 640V), di/dt
crit
(Pulse Generator Data: v
L
= 8V, i
K
= 0.25A, di
G
/dt
鈮?/div>
0.25A/碌s)
f
o
= 50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A/碌s
f
o
= 16kHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A/碌s
Rate of Rise of Off鈥揝tate Voltage (t
vi
= +100擄C, V
D
= 536V), dv/dt
crit
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V/碌s
Rate of Rise of Voltage Subsequent to Prior On鈥揝tate Current, dv/dt
crit
t
vi
= +100擄C, V
D
= 536V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/碌s
Peak Gate Power Losses (t
g
鈮?/div>
10碌s), P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Total Mean Gate Power Loss for One Cycle, P
G
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
Operating Temperature Range, T
opr
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?0擄 to +100擄C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?0擄 to +130擄C
Thermal Resistance, Junction鈥搕o鈥揅ase, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3擄C/W
Thermal Resistance, Junction鈥搕o鈥揂mbient, R
thJA
Without Heatsink . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35擄C/W
On Vertical Cooling Fin 60mm x 60mm x 1.5mm, Al or Cu, Roughened Surface . . 10擄C/W
Electrical Characteristics:
Maximum On鈥揝tate Voltage (t
vi
= +25擄C, i
T
= i
F
= 10A), V
T
, V
F
Thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.16V
Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2V
Threshold Voltage, V
(TO)
Thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6V
Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4V
Forward Slope Resistance, r
T
, r
F
Thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53鈩?/div>
Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70鈩?/div>

NTE310 產(chǎn)品屬性

  • NTE

  • 置換半導(dǎo)體

  • 否

  • 1

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    廠商
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