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NTE3089 Datasheet

  • NTE3089

  • Optoisolator AC Input, Silicon NPN Phototransistor Output

  • 4頁

  • NTE

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NTE3089
Optoisolator
AC Input, Silicon NPN
Phototransistor Output
Description:
The NTE3089 consists of two gallium arsenide LEDs connected in inverse parallel and coupled with
a silicon phototransistor in a 6鈥揕ead DIP type package.
Features:
D
AC or Polarity Insensitive Inputs
D
Fast Switching Speeds
D
Built鈥揑n Reverse Polarity Input Protection
D
High Isolation Voltage
D
High Isolation Resistance
D
I/O Compatible with Integrated Circuits
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25擄C, unless otherwise specified)
Infrared Emitting Diode (LED)
Continuous Forward Current, I
F
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA
Peak Forward Current (Pulse Width = 1碌s, 330pps), I
F
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
鹵1A
Power Dissipation (T
A
= +25擄C, Note 1), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mW
Derate Above 25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.33mW/擄C
Phototransistor
Collector鈥揈mitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Collector鈥揃ase Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V
Emitter鈥揃ase Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Continuous Collector Current, I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Power Dissipation (T
A
= +25擄C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Derate Above 25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0mW/擄C
Power Dissipation (T
A
= +25擄C, Note 1), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW
Derate Above 25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.7mW/擄C
Total Device
Steady鈥揝tate Isolation Voltage (Input鈥搕o鈥揙utput)
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V
RMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1060V
Surge Isolation Voltage (Input鈥搕o鈥揙utput)
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2500V
RMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1770V
Operating Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +150擄C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +150擄C
Lead Temperature (During Soldering for 10sec), T
L
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +250擄C
Note 1. T
C
indicates Collector lead temperature 1/32鈥?from case.

NTE3089 產(chǎn)品屬性

  • NTE

  • 置換半導體

  • 詳細信息

  • 1

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