NTE2987
Logic Level MOSFET
N鈥揅hannel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D
Avalanche Rugged Technology
D
Logic Level Gate Drive
D
R
DS
(on) = 0.09鈩?Typ. at V
GS
= 5V
D
+175擄C Operating Temperature
D
Fast Switching
D
Low Gate Charge
D
High Current Capability
Absolute Maximum Ratings:
Drain Current, I
D
Continuous
T
C
= +25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
T
C
= +100擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14A
Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A
Total Power Dissipation (T
C
= +25擄C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105W
Derate Above 25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.7W/擄C
Gate鈥揝ource Voltage, V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
鹵15V
Avalanche Current, Repetitive or Non鈥揜epetitive (Note 2), I
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3), E
AS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120mJ
Repetitive Avalanche Energy (Note 2), E
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mJ
Avalanche Current, Repetitive or Non鈥揜epetitive (Note 4), I
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14A
Drain鈥揝ource Voltage (V
GS
= 0), V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Drain鈥揋ate Voltage (R
GS
= 20k鈩?, V
DGR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175擄C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +175擄C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec), T
L
. . . . . . . . . . +300擄C
Thermal Resistance:
Maximum Junction鈥搕o鈥揅ase, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.43擄C/W
Typical Case鈥搕o鈥揝ink (Mounting surface flat, smooth, and greased), R
thCS
. . . . . . 0.5擄C/W
Maximum Junction鈥搕o鈥揂mbient (Free Air Operation), R
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5擄C/W
Note
Note
Note
Note
1.
2.
3.
4.
Pulse width limited by safe operating area.
Pulse width limited by T
J
max, Duty Cycle < 1%.
V
DD
= 25V, I
D
= I
AR
, Starting T
J
= +175擄C.
T
C
= +100擄C, Pulse width limited by T
J
max, Duty Cycle < 1%.
1
2
3
