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NTE2986 Datasheet

  • NTE2986

  • Logic Level MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Sw...

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NTE2986
Logic Level MOSFET
N鈥揅hannel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D
Dynamic dv/dt Rating
D
Logic Level Gate Drive
D
R
DS
(on) Specified at V
GS
= 4V & 5V
D
+175擄C Operating Temperature
D
Fast Switching
D
Ease of Paralleling
D
Simple Drive Requirements
Absolute Maximum Ratings:
Drain Current, I
D
Continuous (V
GS
= 5V)
T
C
= +25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
T
C
= +100擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36A
Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A
Total Power Dissipation (T
C
= +25擄C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W
Derate Above 25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/擄C
Gate鈥揝ource Voltage, V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
鹵10V
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), E
AS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5V/ns
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +175擄C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +175擄C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec), T
L
. . . . . . . . . . +300擄C
Mounting Torque, 6鈥?2 or M3 Screw . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbf鈥n (1.1 N鈥)
Thermal Resistance:
Maximum Junction鈥搕o鈥揅ase, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0K/W
Typical Case鈥搕o鈥揝ink (Mounting surface flat, smooth, and greased), R
thCS
. . . . . . . 0.5K/W
Maximum Junction鈥搕o鈥揂mbient (Free Air Operation), R
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62K/W
Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. L = 179碌H, V
DD
= 25V, R
G
= 25鈩? I
AS
= 51A, Starting T
J
= +175擄C.
Note 3. I
SD
鈮?/div>
51A, di/dt
鈮?/div>
250A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, T
J
鈮?/div>
+175擄C.

NTE2986 產(chǎn)品屬性

  • NTE

  • 置換半導(dǎo)體

  • 1

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