NTE2981
Logic Level MOSFET
N鈥揅hannel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D
Dynamic dv/dt Rating
D
Repetitive Avalanche rated
D
Logic Level Gate Drive
D
R
DS
(on) Specified at V
GS
= 4V & 5V
Absolute Maximum Ratings:
Drain Current, I
D
Continuous (V
GS
= 5V)
T
C
= +25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.7A
T
C
= +100擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.9A
Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31A
Total Power Dissipation (T
C
= +25擄C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42W
Derate Above 25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.33W/擄C
Total Power Dissipation (PC Board Mount, T
C
= +25擄C, Note 2), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W
Derate Above 25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.02W/擄C
Gate鈥揝ource Voltage, V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
鹵10V
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3), E
AS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 210mJ
Avalanche Current (Note 1), I
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.7A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), E
AR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5V/ns
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +150擄C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +150擄C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec), T
L
. . . . . . . . . . +260擄C
Maximum Thermal Resistance:
Junction鈥搕o鈥揅ase, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0擄C/W
Junction鈥搕o鈥揂mbient (PCB Mount, Note 2), R
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50擄C/W
Junction鈥搕o鈥揂mbient, R
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110擄C/W
Note
Note
Note
Note
1.
2.
3.
4.
Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
When mounted on a 1鈥?square PCB (FR鈥? or G鈥?0 material).
L = 5.3mH, V
DD
= 25V, R
G
= 25鈩? Starting T
J
= +25擄C, I
AS
= 7.7A.
I
SD
1
2
3
