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NTE2382 Datasheet

  • NTE2382

  • MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl ...

  • 3頁

  • NTE

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NTE2382
MOSFET
N鈥揅hannel Enhancement Mode,
High Speed Switch
(Compl to NTE2383)
Description:
The NTE2382 is a MOS power N鈥揅hannel FET in a TO220 type package designed for high voltage,
high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay
drivers.
Features:
D
Lower R
DS(ON)
D
Improved Inductive Ruggedness
D
Fast Switching Times
D
Rugged Polysilicon Gate Cell Structure
D
Lower Input Capacitance
D
Extended Safe Operating Area
D
Improved High Temperature Reliability
Absolute Maximim Ratings:
Drain鈥揝ource Voltage (Note 1), V
DSS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Drain鈥揋ate Voltage (R
GS
= 1M鈩? Note 1), V
DGR
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Gate鈥揝ource Voltage, V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
鹵20V
Continuous Drain Current, I
D
T
C
= +25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.2A
T
C
= +100擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5A
Drain Current, Pulsed (Note 3), I
DM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37A
Gate Current, Pulsed, I
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
鹵1.5A
Single Pulsed Avalanvhe Energy (Note 4), E
AS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36mJ
Avalanche Current, I
AS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9.2A
Total Power Dissipation (T
C
= +25擄C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W
Derate Above 25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.4W/擄C
Operating Junction Temperature Range, T
opr
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +150擄C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +150擄C
Thermal Resistance, Junction鈥搕o鈥揂mbient, R
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5擄C/W
Thermal Resistance, Junction鈥搕o鈥揅ase, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5擄C/W
Thermal Resistance, Case鈥搕o鈥揝ink (Note 5), R
thCS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5擄C/W
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8鈥?from case, 5sec), T
L
. . . . . . . . . . . . . . +300擄C
Note
Note
Note
Note
Note
1.
2.
3.
4.
5.
T
J
= +25擄 to +150擄C
Pulse Test: Pulse Width
鈮?/div>
300碌s, Duty Cycle
鈮?/div>
2%.
Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature.
L = 64mH, V
DD
= 25V, R
G
= 25鈩? Starting T
J
= +25擄C.
Mounting surface flat, smooth, and greased.

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