The NTE236 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on HF
band mobile radio applications.
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12dB (V
CC
= 12V, P
O
= 16W, f = 27MHz)
D
Ability to Withstand Infinite VSWR Load when Operated at:
V
CC
= 16V, P
O
= 20W, f = 27MHz
Application:
D
10 to 14 Watt Output Power Class AB Amplifier Applications in HF band
Absolute Maximum Ratings:
(T
C
= +25擄C unless otherwise specified)
Collector鈥揃ase Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Collector鈥揈mitter Voltage (R
BE
=
鈭?,
V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Emitter鈥揃ase Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, I
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A
Collector Dissipation, P
C
T
A
= 25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7W
T
C
= 25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150擄C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +150擄C
Thermal Resistance, Junction鈥搕o鈥揂mbient, R
thJA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73.5擄C/W
Thermal Resistance, Junction鈥搕o鈥揅ase, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.25擄C/W
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