NTE171
Silicon NPN Transistor
Audio/Video Amplifier
Description:
The NTE171 is a silicon NPN transistor in a TO202 type case designed for high鈥搗oltage TV video and
chroma output circuits, high鈥搗oltage linear amplifiers, and high鈥搗oltage transistor regulators.
Features:
D
High Collector鈥揈mitter Breakdown Voltage Voltage: V
(BR)CER
= 300V @ I
C
= 1mA
D
Low Collector鈥揃ase Capacitance: C
cb
= 3pF Max @ V
CB
= 20V
Absolute Maximum Ratings:
Collector鈥揈mitter Voltage (I
C
= 1mA, R
BE
= 10k鈩? Note 1), V
CER
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Collector鈥揃ase Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Emitter鈥揃ase Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, I
C
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700mA
Base Current, I
B
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA
Total Power Dissipation (T
A
= +25擄C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.67W
Derate Above 25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13.3mW/擄C
Total Power Dissipation (T
C
= +25擄C), P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.25W
Derate Above 25擄C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mW/擄C
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +150擄C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5擄 to +150擄C
Thermal Resistance, Junction to Ambient, R
螛JA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75擄C/W
Thermal Resistance, Junction to Case, R
螛JC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20擄C/W
Lead Temperature (During Soldering, 1/16鈥?from case, 10sec), T
L
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260擄C
Note 1. Pulse Test: Pulse Width
鈮?/div>
300碌s, Duty Cycle
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