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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

NSBA144EDP6T5G Datasheet

IC型號：
NSBA144EDP6T5G
PDF描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual...
文件大小：
300.00KB

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

NSBA144EDP6T5G 產(chǎn)品屬性

標(biāo)準(zhǔn)包裝
8,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
系列
-
晶體管類型
2 個 PNP 預(yù)偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
47k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
47k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
80 @ 5mA，10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
250mV @ 300µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
500nA
頻率 - 轉(zhuǎn)換
-
功率 - 最大
408mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-963
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-963
包裝
帶卷 (TR)

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型號

版本

描述

廠商

下載
NSBA114EF3...

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NSBA114EF3T5G Series PNP Digital Transistors (BRT)

NSBA114EF3-D
NSBA114EDP...

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