NP0G3D200A 產(chǎn)品屬性

• 數(shù)據(jù)列表

  NP0G3D200A View all Specifications

• 標(biāo)準(zhǔn)包裝

  10,000

• 類別

  分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

• 家庭

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

• 系列

  -

• 晶體管類型

  1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）

• 電流 - 集電極 (Ic)（最大）

  80mA

• 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）

  50V

• 電阻器 - 基極 (R1)（歐）

  4.7k，22k

• 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）

  4.7k，47k

• 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)

  20 @ 5mA，10V / 80 @ 5mA，10V

• Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）

  250mV @ 300µA，10mA

• 電流 - 集電極截止（最大）

  500nA

• 頻率 - 轉(zhuǎn)換

  150MHz，80MHz

• 功率 - 最大

  125mW

• 安裝類型

  表面貼裝

• 封裝/外殼

  SOT-963

• 供應(yīng)商設(shè)備封裝

  SSS迷你型6-F1

• 包裝

  帶卷 (TR)

• 其它名稱

  NP0G3D200ATRNPOG3D200A