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NE687M33 Datasheet

  • NE687M33

  • NECs NPN SILICON TRANSISTOR

  • 6頁

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DATA SHEET
NEC's NPN SILICON TRANSISTOR NE687M33
FEATURES
鈥?/div>
鈥?/div>
LOW NOISE:
NF = 1.5 dB TYP. @ V
CE
= 1 V, I
C
= 3 mA, f = 2 GHz
3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33) PACKAGE
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
NE687M33-A
NE687M33-T3-A
QUANTITY
50 pcs (Non reel)
10 kpcs/reel
SUPPLYING FORM
鈥?8 mm wide embossed taping
鈥?Pin 2 (Base) face the perforation side of the tape
Remark
To order evaluation samples, contact your nearby sales of鏗乧e.
The unit sample quantity is 50 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
=+25潞C)
PARAMETER
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Note
RATINGS
5.0
3.0
2.0
30
90
150
鈭?5
to +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
T
j
T
stg
Note
Mounted on 1.08 cm
2
脳
1.0 mm (t) glass epoxy PCB
Caution
Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.
California Eastern Laboratories

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    NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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    NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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    NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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    NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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    NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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    SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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    NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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    TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-343R
    ETC

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