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MXP1126-C Datasheet

  • MXP1126-C

  • Photo Transistor Chip

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  • MICROSEMI

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2830 S. Fairview St.
Santa Ana, CA 92704
PH: 714.979.8220
FAX: 714.557.5989
MXP1126-C
Photo Transistor Chip
Features
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鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Light Activated Photo Transistor Chip
Planar NPN
Aluminum Wire bondable
Backside Metallization - Gold
Die Attach methods: Eutectic or Epoxy
Electrical Characteristics @ 25
o
C
SYMB OL
BV
CEO
BV
EBO
BV
CBO
ID
h
FE
CHARACT ERIST IC
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector-Base Voltage
Collector Current
Beta
I
C
= 100
碌A(chǔ)
I
E
= 100
碌A(chǔ)
I
C
= 100
碌A(chǔ)
V
CE
= 10 Volts
CONDIT IONS
MIN
T YP
500
20
500
30
25
MAX
UNIT S
Volts
Volts
Volts
nAmps
V
CE
= 5 Volts, I
C
= 1 mA
Data Sheet # MSC1341.PDF
Updated:October 1998
O p t o
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