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IC Datasheet頻道、中國IC資料網

MTW6N60E數據手冊封面

MTW6N60E Datasheet

IC型號：
MTW6N60E
PDF描述：
Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Sil...
文件大?。?/label>
69.58KB
PDF頁數：
2 Pages頁
芯片廠家：
MOTOROLA [Motorola, Inc]

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MTW6N100

英文版

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM

MTW6N100
MTW6N100

英文版

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM

MOTOROLA [...

MTW6N100
MTW6N60E

英文版

Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Sil...

MTW6N60E
MTW6N60E

英文版

Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Sil...

MOTOROLA [...

MTW6N60E
MTW6N100E

英文版

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM

MTW6N100E
MTW6N100E

英文版

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM

MOTOROLA [...

MTW6N100E
MTW6N100E/...

英文版

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS

MTW6N100E/D
MTW6N100E/...

英文版

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS

MTW6N100E/D

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