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MTP2301N3 Datasheet

  • MTP2301N3

  • 20V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET

  • 298.68KB

  • 6頁

  • CYSTEKEC

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CYStech Electronics Corp.
20V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET
Spec. No. : C322N3
Issued Date : 2004.04.05
Revised Date :2005.08.23
Page No. : 1/6
MTP2301N3
Features
鈥?/div>
V
DS
=-20V
R
DS(ON)
=130m
惟
@V
GS
=-4.5V, I
DS
=-2.8A
R
DS(ON)
=190m
惟
@V
GS
=-2.5V, I
DS
=-2A
鈥?/div>
Advanced trench process technology
鈥?/div>
High density cell design for ultra low on resistance
鈥?/div>
Excellent thermal and electrical capabilities
鈥?/div>
Compact and low profile SOT-23 package
鈥?/div>
Pb-free package
Equivalent Circuit
MTP2301N3
Outline
SOT-23
D
G
G錛欸ate
S錛歋ource
D錛欴rain
S
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
Ta=25鈩?/div>
Ta=75鈩?/div>
P
D
Tj
Tstg
Limits
-20
鹵8
-2.3
-10
1.25
0.8
-55~+150
-55~+150
Unit
V
V
A
A
W
擄C
擄C
MTP2301N3
CYStek Product Specification

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