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MTD2955V Datasheet

  • MTD2955V

  • P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

  • 378.21KB

  • 6頁

  • FAIRCHILD

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MTD2955V
August 1999
DISTRIBUTION GROUP*
MTD2955V
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
This P-Channel MOSFET has been designed specifically
to improve the overall efficiency of DC/DC converters
using either synchronous or conventional switching
PWM controllers.
These MOSFETs feature faster switching and lower
gate charge than other MOSFETs with comparable
R
DS(ON)
specifications.
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive
(even at very high frequencies), and DC/DC power
supply designs with higher overall efficiency.
Features
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聲
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-12 A, -60 V. R
DS(ON)
= 0.23
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GS
= -10 V
Low gate charge.
Fast switching speed.
High performance technology for low R
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MTD2955V Rev. A
漏1999
Fairchild Semiconductor Corporation

MTD2955V 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • P-Channel

  • - 60 V

  • +/- 20 V

  • 12 A

  • 0.23 Ohms

  • Single

  • + 175 C

  • SMD/SMT

  • TO-252

  • Reel

  • 80 ns

  • - 55 C

  • 3.9 W

  • 100 ns

  • 50 ns

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