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MT6L58AE Datasheet

  • MT6L58AE

  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE VHF~UHF BAND LO...

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  • TOSHIBA

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MT6L58AE
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
MT6L58AE
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
鈥?/div>
Two devices are built in to the super-thin and extreme super mini (6
pins) package: ES6
Unit: mm
Mounted Devices
Q1: SSM (TESM)
Three-pins (SSM/TESM) mold
products are corresponded.
MT3S06S
(MT3S06T)
Q2: SSM (TESM)
MT3S03AS
(MT3S03AT)
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
Q1
10
5
1.5
15
7
100
125
鈭?5~125
Q2
10
5
2
40
10
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-2N1C
Weight: 0.003 g (typ.)
Note 1: Total power dissipation of Q1 and Q2.
Marking
Pin Assignment
(top view)
1
2003-07-31

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  • 型號(hào)
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    VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application
    TOSHIBA [T...
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    VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
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    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA
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    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA
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    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA
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    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPEl
    TOSHIBA
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    VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
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    Toshiba
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