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MT6L57AT Datasheet

  • MT6L57AT

  • VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS

  • 91.01KB

  • 3頁

  • TOSHIBA

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MT6L57AT
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
MT6L57AT
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
鈥?/div>
Two devices are built in to the super-thin and ultra super mini (6
pins) package: TU6
Unit: mm
Mounted Devices
Q1: SSM (TESM)
Three-pins (SSM/TESM) mold
products are corresponded.
MT3S06S
(MT3S06T)
Q2: SSM (TESM)
MT3S04AS
(MT3S04AT)
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Q1
10
5
1.5
15
7
150
125
鈭?5~125
Q2
10
5
2
40
10
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-2JA1C
Weight: 0.0045 g (typ.)
Marking
Pin Assignment
(top view)
1
2003-09-19

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    VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application
    TOSHIBA
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    VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application
    TOSHIBA [T...
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    VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPEl
    TOSHIBA
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    TOSHIBA [T...
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    Toshiba
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    Toshiba
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