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MT3S36T Datasheet

  • MT3S36T

  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE

  • 120.82KB

  • 4頁

  • TOSHIBA

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MT3S36T
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE
MT3S36T
VCO OSCILLETOR STAGE
UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION
Unit: mm
FEATURES
路
路
Low Noise Figure :NF=1.3dB (@f=2GHz)
High Gain:|S21e| =12.5dB (@f=2GHz)
2
Marking
3
Q3
1
2
TESM
JEDEC
鈥?/div>
鈥?/div>
2-1B1A
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Collector-Base voltage
Collector-Emitter voltage
Emitter-Base voltage
Collector-Current
Base-Current
Collector Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature Range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
stg
Rating
8
4.5
1.5
36
18
100
150
鈭?5~150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
擄C
擄C
JEITA
TOSHIBA
Weight:0.0022g (typ.)
1
2002-08-19

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  • 型號
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    廠商
    下載
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    TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, S-...
    TOSHIBA
  • 英文版
    TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
    TOSHIBA
  • 英文版
    TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
    TOSHIBA
  • 英文版
    暫無描述
    TOSHIBA
  • 英文版
    TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA
  • 英文版
    TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application
    TOSHIBA
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
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