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MT3S06S Datasheet

  • MT3S06S

  • VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application

  • 3頁

  • TOSHIBA

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MT6L54E
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
MT6L54E
VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application
VHF-UHF Band Oscillator Application
鈥?/div>
Tow devices are built in to the super-thin and ultra super mini (6 pin)
package: ES6
Unit: mm
Q1: SSM (TESM)
Three pin (SSM/TESM) type part No.
MT3S06S
(MT3S06T)
Q2: TESM
MT3S08T
Maximum Ratings
(Ta
=
25擄C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
Q1
10
5
1.5
15
7
100
125
鈭?5
to 125
Q2
20
8
1.5
40
10
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-2N1C
Weight: 0.003 g (typ.)
Note 1: Total power dissipation of Q1 and Q2
Pin Assignment
B1
E2
B2
Marking
6
5
4
Q1
Q2
Z
D
C1
E1
C2
1
2
3
1
2003-07-11

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, S-...
    TOSHIBA
  • 英文版
    TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
    TOSHIBA
  • 英文版
    TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
    TOSHIBA
  • 英文版
    暫無描述
    TOSHIBA
  • 英文版
    TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA
  • 英文版
    TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application
    TOSHIBA
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    VHF-UHF Band Low Noise Amplifier Application
    TOSHIBA [T...
  • 英文版
    VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
    TOSHIBA
  • 英文版
    TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
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