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MSM56V16160F Datasheet

  • MSM56V16160F

  • 2-Bank x 524,288 Word x 16 Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

  • 2987.24KB

  • 31頁

  • OKI

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Semiconductor
MSM56V16160F
2-Bank
麓
524,288 Word
麓
16 Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
This version : Sep.1999
DESCRIPTION
The MSM56V16160F is a 2-Bank
麓
524,288-word
麓
16 bit Synchronous dynamic RAM, fabricated in OKI鈥檚
CMOS silicon-gate process technology. The device operates at 3.3V. The inputs and outputs are LVTTL
compatible.
FEATURES
路
路
路
路
路
路
路
Silicon gate , quadruple polysilicon CMOS , 1-transistor memory cell
2-bank
麓
524,288-word
麓
16bit configuration
3.3V power supply 鹵 0.3V tolerance
Input
Output
Refresh
: LVTTL compatible
: LVTTL compatible
: 4096 cycles/64 ms
Programmable data transfer mode
-
CAS Latency (1,2,3)
-
Burst Length (1,2,4,8,Full page)
-
Data scramble (sequential , interleave)
路
路
CBR auto-refresh, Self-refresh capability
Package:
50-pin 400mil plastic TSOP (Type II)
(TSOPII50-P-400-0.80-K)
(Product : MSM56V16160F-xxTS-K)
xx : indicates speed rank.
PRODUCT FAMILY
Family
MSM56V16160F-8
MSM56V16160F-10
Max.
Frequency
125MHz
100MHz
Access Time (Max.)
t
AC2
9ns
9ns
t
AC3
6ns
9ns
1/30

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