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MSC2295-CT1 Datasheet

  • MSC2295-CT1

  • NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount

  • 1頁

  • LRC

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
NPN RF Amplifier Transistors
Surface Mount
COLLECTOR
3
MSC2295-BT1
MSC2295-CT1
3
2
2
BASE
1
EMITTER
CASE
1
318D鈥?3, STYLE1
SC鈥?9
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25擄C)
Rating
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
C
Symbol
P
D
T
J
T
stg
Value
30
20
5.0
30
Max
200
150
-55 ~ +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Unit
mW
擄C
擄C
Symbol
I
CBO
h
FE
MSC2295-BT1
MSC2295-CT1
f
T
C
re
70
110
150
鈥?/div>
140
220
鈥?/div>
1.5
Min
鈥?/div>
Max
0.1
Unit
碌Adc
鈥?/div>
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Characteristic
Collector-Base Cutoff Current
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0)
DC Current Gain
(1)
(V
CB
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25擄C)
= 10 Vdc, I
C
= 鈥?.0 mAdc)
Collector-Gain - Bandwidth Product
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 鈥?.0 mAdc)
Reverse Transistor Capacitance
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 1.0 mAdc, f = 10.7 MHz)
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 ms, D.C.< 2%.
MHz
pF
DEVICE MARKING
Marking Symbol
VBX
MSC2295-BT1
VCX
MSC2295-CT1
The 鈥淴鈥?represents a smaller alpha digit Date Code. The Date Code indicates the actual month
in which the part was manufactured.
N4鈥?/1

MSC2295-CT1 產品屬性

  • 3,000

  • 分離式半導體產品

  • RF 晶體管 (BJT)

  • -

  • NPN

  • 20V

  • 150MHz

  • -

  • -

  • 200mW

  • 110 @ 1mA,10V

  • 30mA

  • 表面貼裝

  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • SC-59

  • 帶卷 (TR)

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    廠商
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