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MS2601 Datasheet

  • MS2601

  • NPN RF POWER TRANSISTOR

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  • ASI

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MS2601
NPN RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI MS2601
is Common Base
Device Designed for Pulsed S-Band
Radar Amplifier Applications up to 3.1
GHz.
PACKAGE STYLE 400 x 400 2NL FLG
1
2
3
4
FEATURES INCLUDE:
鈥?/div>
Input/Output Matching
鈥?/div>
Gold Metallization
鈥?/div>
Emitter Ballasting
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
STG
胃
JC
0.45 A
34 V
11.5 W @ T
C
= 25 擄C
-65 擄C to+200 擄C
-65 擄C to+200 擄C
13.0 擄C/W
1 = COLLECTOR
2 & 4 = BASE
3 = EMITTER
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
OUT
P
G
畏
C
T
C
= 25 擄C
TEST CONDITIONS
I
C
= 1.0 mA
I
C
= 1.0 mA
I
E
= 1.0 mA
V
CE
= 30 V
V
CE
= 5 V
I
C
= 100 mA
f = 2700 to 3100 MHz
Duty Cycle = 10%
MINIMUM
45
45
3.5
TYPICAL MAXIMUM
UNITS
V
V
V
0.5
10
1.0
5.2
27
150
mA
---
W
dB
%
V
CC
= 30 V P
IN
= 0.3 W
Pulse Width = 100
碌S
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
鈥?/div>
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
鈥?/div>
(818) 982-1200
鈥?/div>
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
1/1

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    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    NPN RF POWER TRANSISTOR
    ASI
  • 英文版
    NPN RF POWER TRANSISTOR
    ASI [Advan...
  • 英文版
    Advanced Power Technology [RF& MICROWAVE TRANSISTORS S ...
    ADPOW
  • 英文版
    Microsemi

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