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MS2212 Datasheet

  • MS2212

  • RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS

  • 423.44KB

  • 3頁

  • ADPOW

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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MS2212
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
AVIONICS APPLICATIONS
Features
路
路
路
路
路
路
960 鈥?1215 MHz
28 VOLTS
INPUT/OUTPUT MATCHING
P
OUT
= 15 WATTS
G
P
= 8.1 dB MINIMUM
COMMON BASE CONFIGURATION
DESCRIPTION:
The MS2212 is designed for specialized avionics applications,
including JTIDS where power is provided
under pulse formats
utilizing short pulse widths and highburst or overall duty cycles.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25擄C)
擄
Symbol
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
T
STG
Power Dissipation
Device Current
Collector - Supply Voltage
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
50
1.8
32
250
-
65 to
+
200
Value
Unit
W
A
V
擄
C
擄
C
Thermal Data
R
TH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance
3.0
擄
C/W
12-10-2002

MS2212 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • -

  • 散裝

  • 停產(chǎn)

  • NPN

  • 55V

  • 960MHz ~ 1.215GHz

  • -

  • 8.1dB ~ 8.9dB

  • 50W

  • 15 @ 500mA，5V

  • 1.8A

  • 250°C（TJ）

  • 底座安裝

  • M222

  • M222

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