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MS2207 Datasheet

  • MS2207

  • RF & MICROWAVE TRANSISTORS L-BAND AVIONICS APPLICATIONS

  • 3頁

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MS2207
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
L-BAND AVIONICS APPLICATIONS
Features
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1090 MHz
50 VOLTS
15:1 VSWR CAPABILITY
INPUT / OUTPUT MATCHING
P
OUT
= 400 WATTS
G
P
= 8.0 dB MINIMUM
COMMON BASE CONFIGURATION
DESCRIPTION:
The MS2207 is a high power NPN bipolar transistor
specifically designed for TCAS and Mode-S driver
applications. This device is designed for operation
under moderate pulse width and duty cycle pulse
conditions and is capable of withstanding 15:1 output
VSWR at rated conditions.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25擄C)
擄
Symbol
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
T
STG
Parameter
Value
880
24
55
200
-65 to +200
Unit
W
A
V
擄
C
擄
C
Power Dissipation
Device Current
Collector Supply Voltage
Junction Temperature
Storage Temperature
Thermal Data
R
TH(J-C)
Junction-case Thermal Resistance
0.17
擄
C/W
053-7113 Rev - 11-2002

MS2207 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • -

  • 散裝

  • 停產(chǎn)

  • NPN

  • 65V

  • 1.09GHz

  • -

  • 8dB

  • 880W

  • 10 @ 5A，5V

  • 24A

  • 250°C（TJ）

  • 底座安裝

  • M216

  • M216

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    廠商
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