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MS2176 Datasheet

  • MS2176

  • RF & MICROWAVE TRANSISTORS

  • 4頁

  • MICROSEMI

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MS2176
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
RF PRODUCTS
DIVISION
P
RODUCT
P
REVIEW
DESCRIPTION
KEY FEATURES
W W W .
Microsemi
.COM
The MS2176 is a gold metallized silicon NPN pulse power
transistor. The MS2176 is designed for applications requiring high
peak power and low duty cycles within the frequency range of 400 鈥?/div>
500 MHz.
IMPORTANT:
For the most current data, consult
MICROSEMI鈥檚
website:
http://www.microsemi.com
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
CASE
= 25
擄
C)
Symbol
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
STG
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Device Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
65
65
3.5
21.6
875
+200
-65 to +150
Unit
V
V
V
A
W
擄C
擄C
350 Watts @ 10碌Sec
Pulse Width, 10%
Duty Cycle
300 Watts @
250碌Sec Pulse Width
10% Duty Cycle
9.5 dB Min. Gain
Refractory Gold
Metallization
Emitter Ballasting And
Low Thermal
Resistance For
Reliability and
Ruggedness
Infinite VSWR
Capability At
Specified Operating
Conditions
APPLICATIONS/BENEFITS
APPLICATIONS/BENEFITS
THERMAL DATA
R
TH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance
0.2
擄C/W
UHF Pulsed
Applications
PIN CONNECTION
1
2
3
1. Collector
2. Base
4
3. Emitter
4. Base
.400 X .400 2LFL (M106)
hermetically sealed
MS2176
MS2176
Copyright
錚?/div>
2000
MSC1651.PDF 2001-01-04
Microsemi
RF Products Division
140 Commerce Drive, Montgomeryville PA 18936, (215) 631-9840, Fax: (215) 631-9855
Page 1

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