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MS1505 Datasheet

  • MS1505

  • RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS

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MS1505
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
VHF MOBILE APPLICATIONS
Features
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160 MHz
13.6 VOLTS
P
OUT
=
30 WATTS
G
P
= 10 dB MINIMUM
COMMON EMITTER CONFIGURATION
DESCRIPTION:
The MS1505 is a 13.6 volt Class C epitaxial silicon NPN planar
transistor designed primarily for VHF communications. The MS1505
utilizes an emitter ballasted die geometry to withstand severe load
VSWR conditions
.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25擄C)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
STG
Parameter
Value
36
18
36
4.0
8.0
70
+200
-65 to +150
Unit
V
V
V
V
A
W
C
C
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Device Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Thermal Data
R
TH(J-C)
Junction-case Thermal Resistance
1.2
C/W
053-7086 Rev - 10-2002

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  • 型號
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    ETC [Power Film Resistors]
    ETC
  • 英文版
    Advanced Power Technology [RF & MICROWAVE TRANSISTORS U...
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    Advanced Power Technology [RF & MICROWAVE TRANSISTORS U...
    ADPOW
  • 英文版
    Advanced Power Technology [RF & MICROWAVE TRANSISTORS W...
    ADPOW
  • 英文版
    RF & MICROWAVE TRANSISTORS
    MICROSEMI
  • 英文版
    RF & MICROWAVE TRANSISTORS
    MICROSEMI ...
  • 英文版
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  • 英文版
    RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS
    ADPOW [Adv...
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    RF & MICROWAVE TRANSISTORS 800-960MHz CELLULAR BASE STATION
    MICROSEMI ...

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