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MS1077 Datasheet

  • MS1077

  • RF & MICROWAVE TRANSISTORS

  • 4頁

  • MICROSEMI

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MS1077
RF PRODUCTS
DIVISION
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
P
RODUCT
P
REVIEW
DESCRIPTION
KEY FEATURES
W W W .
Microsemi
.COM
The MS1077 is a Class AB epitaxial silicon NPN planar transistor
designed primarily for SSB communications. This device utilizes
emitter ballasting to achieve extreme ruggedness under severe
operating conditions.
IMPORTANT:
For the most current data, consult
MICROSEMI鈥檚
website:
http://www.microsemi.com
Optimized for SSB
!"
30
!"
MHz
28
!"
Volts
IMD 鈥?0dB
!"
Common Emitter
!"
Gold Metallization
!"
P
!"
OUT
= 130 W PEP
G
!"
P
= 12 dB Gain
APPLICATIONS/BENEFITS
APPLICATIONS/BENEFITS
HF
!"
SSB Applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
CASE
= 25擄
C)
擄
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
STG
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Device Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
70
35
4.0
12
175
+200
-65 to +150
Unit
V
V
V
A
W
擄C
擄C
THERMAL DATA
R
TH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance
1.0
擄C/W
MS1077
MS1077
Copyright
錚?/div>
2000
MSC1610.PDF 2000-11-06
Microsemi
RF Products Division
140 Commerce Drive, Montgomeryville PA 18936, (215) 631-9840, Fax: (215) 631-9855
Page 1

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    ADPOW
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