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MRF951 Datasheet

  • MRF951

  • RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

  • 164.79KB

  • 5頁

  • MICROSEMI

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MRF951
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Fully Implanted Base and Emitter Structure.
High Gain, Gain at Optimum Noise Figure = 14 dB @ 1 GHz
Low Noise Figure 鈥?1.3dB @ 1GHz
Ftau - 8.0 GHz @ 6v, 30mA
Cost Effective Macro X Package
鈥?/div>
Macro X
DESCRIPTION:
Designed for use in high gain, low noise small-signal amplifiers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
擄
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
10
20
1.5
100
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 75潞C
.475
Storage Junction Temperature Range
-65 to +150
Maximum Junction Temperature
150
潞C
潞C
Watts
Tstg
T
Jmax
MSC1326.PDF 10-25-99

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Advanced Semiconductor [NPN SILICON RF TRANSISTOR]
    ASI
  • 英文版
    RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
    MICROSEMI
  • 英文版
    RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
    MICROSEMI ...
  • 英文版
    NPN SILICON RF TRANSISTOR
    ASI
  • 英文版
    NPN SILICON RF TRANSISTOR
    ASI [Advan...
  • 英文版
    RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
    MICROSEMI
  • 英文版
    RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
    MICROSEMI ...
  • 英文版
    RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
    MICROSEMI
  • 英文版
    RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
    MICROSEMI ...
  • 英文版
    Motorola, Inc [NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transi...
    MOTOROLA
  • 英文版
    NPN SILICON RF TRANSISTOR
    ASI
  • 英文版
    NPN SILICON RF TRANSISTOR
    ASI [Advan...
  • 英文版
    Motorola, Inc [The Rf Line NPN Silicon High-Frequency Trans...
    MOTOROLA
  • 英文版
    RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
    MOTOROLA
  • 英文版
    RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
    MOTOROLA
  • 英文版
    RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    945 MHz, 60 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOS...
    MOTOROLA
  • 英文版
    945 MHz, 60 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOS...
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
    MOTOROLA

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