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MRF4427R2 Datasheet

  • MRF4427R2

  • RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

  • 5頁

  • MICROSEMI

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MRF4427, R1, R2
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Low Cost SO-8 Plastic Surface Mount Package.
S-Parameter Characterization
Tape and Reel Packaging Options Available
Low Voltage Version of MRF3866
Maximum Available Gain 鈥?20dB(typ) @ 200MHz
SO-8
R1 suffix鈥揟ape and Reel, 500 units
R2 suffix鈥揟ape and Reel, 2500 units
DESCRIPTION:
Designed for general-purpose RF amplifier applications, such as; pre-drivers, Oscillators, etc.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
擄
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
20
40
2.0
400
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
T
stg
R
D
Total Device Dissipation @ TC = 25潞C
Derate above 25潞C
Storage Temperature
1.5
12.5
-65 to + 150
Watts
mW/ 潞C
潞C
潞C/W
胃JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
125
MSC1313.PDF 10-25-99

MRF4427R2 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨

  • 停產(chǎn)

  • -

  • 散裝

  • 停產(chǎn)

  • NPN

  • 20V

  • -

  • -

  • 20dB

  • 1.5W

  • 10 @ 10mA，5V

  • 400mA

  • -

  • 表面貼裝型

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
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