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MRF429 Datasheet

  • MRF429

  • RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

  • 145.09KB

  • 6頁

  • MOTOROLA   MOTOROLA

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MOTOROLA
The RF Line
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MRF429/D
NPN Silicon
RF Power Transistor
Designed primarily for high鈥搗oltage applications as a high鈥損ower linear
amplifier from 2.0 to 30 MHz. Ideal for marine and base station equipment.
鈥?/div>
Specified 50 Volt, 30 MHz Characteristics 鈥?/div>
Output Power = 150 W (PEP)
Minimum Gain = 13 dB
Efficiency = 45%
鈥?/div>
Intermodulation Distortion @ 150 W (PEP) 鈥?/div>
IMD = 鈥?32 dB (Max)
鈥?/div>
Diffused Emitter Resistors for Superior Ruggedness
鈥?/div>
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
@ 150 W CW
MRF429
150 W (LINEAR), 30 MHz
RF POWER
TRANSISTOR
NPN SILICON
CASE 211鈥?1, STYLE 1
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector鈥揈mitter Voltage
Collector鈥揃ase Voltage
Emitter鈥揃ase Voltage
Collector Current 鈥?Continuous
Withstand Current 鈥?10 s
Total Device Dissipation @ TC = 25擄C
Derate above 25擄C
Storage Temperature Range
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
鈥?/div>
PD
Tstg
Value
50
100
4.0
16
20
233
1.33
鈥?65 to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Watts
W/擄C
擄C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
胃JC
Max
0.75
Unit
擄C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25擄C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector鈥揈mitter Breakdown Voltage (IC = 200 mAdc, IB = 0)
Collector鈥揈mitter Breakdown Voltage (IC = 100 mAdc, VBE = 0)
Collector鈥揃ase Breakdown Voltage (IC = 100 mAdc, IE = 0)
Emitter鈥揃ase Breakdown Voltage (IE = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)CBO
V(BR)EBO
50
100
100
4.0
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
(continued)
漏
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Motorola, Inc. 1994
MRF429
1

MRF429 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨查看交期

  • 60 : ￥489.75367托盤

  • -

  • 托盤

  • 在售

  • NPN

  • 50V

  • -

  • -

  • 15dB

  • 150W

  • 10 @ 5A，5V

  • 16A

  • -

  • 底座安裝

  • 211-11，2 型

  • 211-11，2 型

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