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MRF421 Datasheet

  • MRF421

  • RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

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  • MOTOROLA   MOTOROLA

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MOTOROLA
The RF Line
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MRF421/D
NPN Silicon
RF Power Transistor
Designed primarily for application as a high鈥損ower linear amplifier from 2.0 to
30 MHz.
鈥?/div>
Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics 鈥?/div>
Output Power = 100 W (PEP)
Minimum Gain = 10 dB
Efficiency = 40%
鈥?/div>
Intermodulation Distortion @ 100 W (PEP) 鈥?/div>
IMD = 鈥?30 dB (Min)
鈥?/div>
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
MRF421
100 W (PEP), 30 MHz
RF POWER
TRANSISTORS
NPN SILICON
CASE 211鈥?1, STYLE 1
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector鈥揈mitter Voltage
Collector鈥揃ase Voltage
Emitter鈥揃ase Voltage
Collector Current 鈥?Continuous
Withstand Current 鈥?10 s
Total Device Dissipation @ TC = 25擄C
Derate above 25擄C
Storage Temperature Range
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
鈥?/div>
PD
Tstg
Value
20
45
3.0
20
30
290
1.66
鈥?65 to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Watts
W/擄C
擄C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
胃JC
Max
0.6
Unit
擄C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25擄C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector鈥揈mitter Breakdown Voltage (IC = 50 mAdc, IB = 0)
Collector鈥揈mitter Breakdown Voltage (IC = 200 mAdc, VBE = 0)
Collector鈥揃ase Breakdown Voltage (IC = 200 mAdc, IE = 0)
Emitter鈥揃ase Breakdown Voltage (IE = 10 mAdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 16 Vdc, VBE = 0, TC = 25擄C)
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICES
20
45
45
3.0
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
10
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
(continued)
REV 1
漏
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Motorola, Inc. 1997
MRF421
1

MRF421 產(chǎn)品屬性

  • 0現(xiàn)貨60Factory查看交期

  • 40 : ￥976.04925托盤

  • -

  • 托盤

  • 在售

  • NPN

  • 20V

  • -

  • -

  • 12dB

  • 100W

  • 10 @ 5A，5V

  • 20A

  • -

  • 底座安裝

  • 211-11，2 型

  • 211-11，2 型

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