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MMSTA56 Datasheet

  • MMSTA56

  • PNP General Purpose Transistor

  • 2頁

  • ROHM

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SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56
Transistors
PNP General Purpose Transistor
SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56
!Features
1) BV
CEO
< 鈭?0V
(I
C
=
鈭?mA)
2) Complements the SSTA06 / MMSTA06 / MPSA06.
!External
dimensions
(Units : mm)
SSTA56
2.9鹵0.2
1.9鹵0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
0.95 +0.2
鈭?.1
0.45鹵0.1
0.2
1.3
+
0.1
鈭?/div>
2.4
0.2
!Package,
marking and packaging specifications
Part No.
Packaging type
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
SSTA56
SST3
R2G
T116
3000
MMSTA56
SMT3
R2G
T146
3000
MPSA56
TO-92
-
T93
3000
(3)
0~0.1
0.2Min.
0.4 +0.1
鈭?.05
+0.1
0.15
鈭?.06
ROHM : SST3
All terminals have same dimensions
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
MMSTA56
2.9鹵0.2
1.9鹵0.2
0.95 0.95
1.1 +0.2
鈭?.1
0.8鹵0.1
0.2
1.6
+
0.1
鈭?/div>
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power SSTA56, MMSTA56
dissipation
MPSA56
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
鈭?0
鈭?0
鈭?
鈭?.5
0.2
0.625
150
鈭?5~+150
Unit
V
V
V
A
W
擄C
擄C
4.8鹵0.2
(3)
2.8
0.2
!Absolute
maximum ratings
(Ta = 25擄C)
(1)
(2)
0~0.1
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
+0.1
0.15
鈭?.06
0.4 +0.1
鈭?.05
All terminals have same dimensions
0.3
~
0.6
2.3
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
MPSA56
4.8
0.2
3.7鹵0.2
(12.7Min.)
(1)
(2)
5
(3)
0.3
2.5
+
0.1
鈭?/div>
0.45
鹵0.1
2.5Min.
0.5鹵0.1
ROHM : TO-92
EIAJ : SC-43
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
!Electrical
characteristics
(Ta = 25擄C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
CEO
V
CE(sat)
V
BE(on)
h
FE
f
T
Min.
鈭?
鈭?0
-
-
-
-
100
100
50
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
鈭?.1
鈭?
鈭?.25
鈭?.2
-
-
-
Unit
V
V
碌A
V
V
-
MHz
I
C
=
鈭?00碌A
I
C
=
鈭?mA
V
CB
=
鈭?0V
V
CE
=
鈭?0V
I
C
/I
B
=
鈭?00mA/鈭?0mA
V
CE
/I
B
=
鈭?V/鈭?00mA
V
CE
=
鈭?V
, I
C
=
鈭?0mA
V
CE
=
鈭?V
, I
C
=
鈭?00mA
V
CE
=
鈭?V
, I
E
= 100mA , f = 100MHz
Conditions

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  • 英文版
    NPN High Frequency Transistor
    ROHM [Rohm...
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    NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
    DIODES
  • 英文版
    NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
    DIODES [Di...
  • 英文版
    NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
    DIODES
  • 英文版
    NPN General Purpose Transistor
    ROHM
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    NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
    DIODES [Di...
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    NPN General Purpose Transistor
    ROHM [Rohm...
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    DIODES
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    ETC
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