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MMFT108T1 Datasheet

  • MMFT108T1

  • TMOS FET TRANSISTOR N-CHANNEL - ENHANCEMENT

  • 6頁

  • MOTOROLA   MOTOROLA

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MMFT108T1/D
Field Effect Transistor
N鈥揅hannel Enhancement鈥揗ode
Logic Level SOT鈥?23
廬
2, 4 DRAIN
MMFT108T1
TMOS FET
TRANSISTOR
N鈥揅HANNEL 鈥?/div>
ENHANCEMENT
1
GATE
3 SOURCE
1
2
3
4
CASE 318E鈥?4, STYLE 3
SOT鈥?23 (TO鈥?61AA)
MAXIMUM RATINGS
Rating
Drain 鈥?to鈥揝ource Voltage
Gate鈥搕o鈥揝ource Voltage 鈥?Continuous
Drain Current 鈥?Continuous
Total Power Dissipation
@ TA = 25擄C
Derate above 25擄C
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
VDSS
VGS
ID
PD
0.8
6.4
TJ, Tstg
鈥?65 to +150
Watts
mW/擄C
擄C
Value
200
鹵20
250
Unit
Volts
Volts
mAdc
DEVICE MARKING
MT108
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance 鈥?Junction鈥搕o鈥揂mbient (1)
Maximum Temperature for Soldering Purposes
Maximum Time in Solder Bath
R
胃JA
TL
156
260
10
擄C/W
擄C
Sec
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit using minimum recommended foot print.
TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.
Motorola Small鈥揝ignal Transistors, FETs and Diodes Device Data
漏
Motorola, Inc. 1997
1

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