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MMBTA13 Datasheet

  • MMBTA13

  • NPN Silicon Darlington Transistors

  • 4頁(yè)

  • INFINEON   INFINEON

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SMBTA13/ MMBTA13, SMBTA14/ MMBTA14
NPN Silicon Darlington Transistors
High DC current gain
High collector current
Low collector-emitter saturation voltage
3
1For calculation of
R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance
1




2
1
VPS05161
Type
SMBTA13/ MMBTA13
SMBTA14/ MMBTA14
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Marking
s1M
s1N
1=B
1=B
Pin Configuration
2=E
2=E
3=C
3=C
Package
SOT23
SOT23
Symbol
V
CES
V
CBO
V
EBO
Values
30
30
10
300
500
100
200
330
150
-65 ... 150
Unit
V
DC collector current
Peak collector current
Base current
Peak base current
Total power dissipation,
T
S
= 81 擄C
Junction temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
R
thJS
mA
mA
mW
擄C
Junction - soldering point
1)
210
K/W
Feb-18-2002

MMBTA13 產(chǎn)品屬性

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • NPN - 達(dá)林頓

  • 1.2A

  • 30V

  • 1.5V @ 100µA，100mA

  • -

  • 10000 @ 100mA，5V

  • 350mW

  • 125MHz

  • 表面貼裝

  • TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • SOT-23

  • 帶卷 (TR)

  • MMBTA13FSMMBTA13FS-NDMMBTA13FSTR

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