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MMBD301 Datasheet

  • MMBD301

  • Schottky Barrier Diode

  • 8頁

  • FAIRCHILD

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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MMBD301
3
DISCRETE POWER AND SIGNAL
TECHNOLOGIES
CONNECTION DIAGRAM
3
PACKAGE
SOT-23
TO-236AB (Low)
1
4T
1
2 NC
SOT-23
TO236AB
2
PACKAGE
Schottky Barrier Diode
Sourced from Process GD
Absolute Maximum Ratings*
Sym
T
stg
T
J
W
iv
P
F
TA = 25
O
C unless otherwise noted
Parameter
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Working Inverse Voltage
Forward Power Dissipation @ T
A
= 25
O
C
Derate above 25
O
C
Value
-55 to +150
-55 to +125
25
200
2.0
Units
O
C
O
C
V
mW
Mw/
O
C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired
Electrical Characteristics
SYM
TA = 25
O
C unless otherwise noted
CHARACTERISTICS
MIN
30
MAX
UNITS
V
I
R
TEST CONDITIONS
=
10 uA
25 V
1.0 mA
10 mA
15 V
1.0 MHz
B
V
Breakdown Voltage
I
R
Reverse Leakage
V
F
Forward Voltage
C
T
Capacitance
漏 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
200
450
600
1.5
nA
mV
mV
pF
V
R
=
I
F
=
I
F
=
V
R
=
f =

MMBD301 產(chǎn)品屬性

  • Fairchild Semiconductor

  • Schottky Diodes

  • 30 V

  • 0.2 A

  • 1 A

  • Single

  • 0.6 V at 0.01 A

  • 0.2 uA

  • - 55 C to + 150 C

  • SMD/SMT

  • SOT-23

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