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MGP7N60ED/D Datasheet

IC型號：
MGP7N60ED/D
PDF描述：
IGBT & DIODE IN TO-220 7.0 A @ 90 10 A @ 25 600 VOLTS
文件大小：
148.86KB

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MGP7N60E

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Insulated Gate Bipolar Transistor

MGP7N60E
MGP7N60E

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Insulated Gate Bipolar Transistor

ONSEMI

MGP7N60E
MGP7N60E

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Insulated Gate Bipolar Transistor

MOTOROLA [...

MGP7N60E
MGP7N60E

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Insulated Gate Bipolar Transistor

ONSEMI [ON...

MGP7N60E
MGP7N60ED

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ONSEMI

MGP7N60ED
MGP7N60ED

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Insulated Gate Bipolar Transistor withr Anti-Parallel Diode

ONSEMI [ON...

MGP7N60ED
MGP7N60E/D

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IGBT & DIODE IN TO-220 7.0 A @ 90 10 A @ 25 600 VOLTS

MGP7N60E/D
MGP7N60E/D

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IGBT IN TO-220 4.0 A @ 90 6.0 A @ 25 600 VOLTS

MGP7N60E/D
MGP7N60ED/...

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IGBT & DIODE IN TO-220 7.0 A @ 90 10 A @ 25 600 VOLTS

MGP7N60ED/D
MGP7N60ED/...

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