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M29F800DT

M29F800DB

8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)

5V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

s

SUPPLY VOLTAGE

鈥?V

CC

= 5V 鹵10% for Program, Erase and Read

s

s

Figure 1. Packages

ACCESS TIME: 55, 70, 90ns

PROGRAMMING TIME

鈥?10碌s per Byte/Word typical

19 MEMORY BLOCKS

鈥?1 Boot Block (Top or Bottom Location)

鈥?2 Parameter and 16 Main Blocks

SO44 (M)

s

s

PROGRAM/ERASE CONTROLLER

鈥?Embedded Byte/Word Program algorithms

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

鈥?Read and Program another Block during

Erase Suspend

s

s

UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

鈥?Faster Production/Batch Programming

TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

COMMON FLASH INTERFACE

鈥?64 bit Security Code

LOW POWER CONSUMPTION

鈥?Standby and Automatic Standby

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

ELECTRONIC SIGNATURE

鈥?Manufacturer Code: 0020h

鈥?Top Device Code M29F800DT: 22ECh

鈥?Bottom Device Code M29F800DB: 2258h

TSOP48 (N)

12 x 20mm

s

s

s

s

s

February 2003

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• 型號
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  描述
  廠商
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• M29F002
  英文版
  2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
  MCNIX
  M29F002
• M29F002
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  M29F002
• M29F002
  英文版
  2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
  
  M29F002
• M29F002
  英文版
  2M (256K X 8) BIT
  
  M29F002
• M29F002
  英文版
  2M (256K X 8) BIT
  FUJITSU [F...
  M29F002
• M29F002
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  2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory
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  英文版
  1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
  
  M29F010
• M29F010
  英文版
  1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
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  M29F010
• M29F040
  英文版
  4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
  
  M29F040
• M29F040
  英文版
  4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
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  M29F040
• M29F100
  英文版
  1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash ...
  
  M29F100
• M29F100
  英文版
  1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block Single Supply Flash ...
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  M29F100
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