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M28F410 Datasheet

  • M28F410

  • 4 Megabit (x8 or x16, Block Erase) FLASH MEMORY

  • 39頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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M28F410
M28F420
4 Megabit (x8 or x16, Block Erase) FLASH MEMORY
PRELIMINARY DATA
DUAL x8 and x16 ORGANIZATION
SMALL SIZE PLASTIC PACKAGES TSOP56
and SO44
MEMORY ERASE in BLOCKS
鈥?One 16K Byte or 8K Word Boot Block (top or
bottom location) with hardware write and
erase protection
鈥?Two 8K Byte or 4K Word Key Parameter
Blocks
鈥?One 96K Byte or 48K Word Main Block
鈥?Three 128K Byte or 64K Word Main Blocks
5V
鹵
10% SUPPLY VOLTAGE
12V
鹵
5% PROGRAMMING VOLTAGE
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
AUTOMATIC STATIC MODE
LOW POWER CONSUMPTION
鈥?60渭A Typical in Standby
鈥?0.2渭A Typical in Deep Power Down
鈥?20/25mA Typical Operating Consumption
(Byte/Word)
HIGH SPEED ACCESS TIME: 70ns
EXTENDED TEMPERATURE RANGES
44
1
TSOP56 (N)
14 x 20mm
SO44 (M)
Figure 1. Logic Diagram
VCC
VPP
18
A0-A17
15
RP
DQ0-DQ14
M28F410
M28F420
BYTE
DQ15A-1
Table 1. Signal Names
A0-A17
DQ0-DQ7
DQ8-
DQ14
DQ15A-1
E
G
W
BYTE
RP
V
PP
V
CC
March 1995
Address Inputs
Data Input / Outputs
Data Input / Outputs
Data Input/Output or Address Input
Chip Enable
Output Enable
Write Enable
Byte/Word Organization
Reset/Power Down/Boot Block Unlock
Program & Erase Supply Voltage
Supply Voltage
W
E
G
VSS
AI01130C
1/38
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